图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 800V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 2.5V @ 200mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 20 @ 400mA, 3V |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 频率转换 | 5MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3I2PAK |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 800 V |
| 集电极最大直流电流 | 3 A |
| 最小直流电流增益 | 20@0.4A@3V|20@5mA@10V |
| 最大工作频率 | 5(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.25@25mA@250mA|2.5@50mA@500mA|2.5@0.2A@1A V |
| 最大集电极基极电压 | 1600 V |
| 工作温度 | N/A to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 100000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 3 |
| Maximum Transition Frequency | 5(Typ) |
| 包装宽度 | 4.83(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 100000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 1600 |
| 最大集电极发射极电压 | 800 |
| 供应商封装形式 | I2PAK |
| 标准包装名称 | I2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 10.29(Max) |
| 包装高度 | 9.65(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 12 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 5MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 2.5V @ 200mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 800V |
| 供应商设备封装 | I2PAK |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 400mA, 3V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 增益带宽产品fT | 5 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 12 V |
| 系列 | FJI5603D |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 20 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 20 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 800 V |
| 单位重量 | 0.073511 oz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 1.6 kV |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.2 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 100000 mW |
| 长度 | 10.29 mm (Max) |
| 身高 | 9.65 mm (Max) |
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